[发明专利]一种毫米波LTCF生瓷带制备方法

摘要

本发明公开了一种毫米波LTCF生瓷带制备方法，经过配方计算后，依次通过配料、一次球磨、预烧、二次球磨、制浆、流延、叠层、共烧，得到流延生瓷带，其中，其配方组成为Ni1‑x‑yZnxCuyMnzFe2‑z‑δO4，其中：0.25≤x≤0.45，0.16≤y≤0.25，0.02≤z≤0.08，δ为缺铁量，0.01≤δ≤0.1，并在所述二次球磨步骤中加入0.5wt％～1.0wt％的Bi2O3，制备的尖晶石NiZn毫米波LTCF生瓷带，烧结温度在880℃～920℃范围，可实现与金属浆料（银浆、金浆）共烧；所制得的旋磁生瓷带致密、均匀、单相的尖晶石结构，电磁性能优异，饱和磁化强度4πMs在4400Gauss～4600Gauss，铁磁共振线宽△H在185Oe～109Oe，介电损耗tande均小于5×10‑4，气孔率低于1.9%，具有较高的居里温度，自旋波线宽△Hk大于15Oe，具有一定的功率承受能力。