[发明专利]一种提高钛酸铜锶钙介电陶瓷材料储能密度的方法在审

专利信息
申请号: 202210792300.2 申请日: 2022-07-07
公开(公告)号: CN115159976A 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 张建花;郝嵘;卢文敏;郭向阳;陈子成;王大伟;雷志鹏;郑丽君 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 曹一杰
地址: 030024 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开一种提高钛酸铜锶钙介电陶瓷材料储能密度的方法。本陶瓷材料的组成为Ca1‑xSrxCu3Ti4O12(0x1)。CSCTO粉体用聚合物热解法制备。工艺为:以硝酸铜、硝酸钙、硝酸锶、双(乙酰丙酮基)二异丙基钛酸酯为原料,按各化学元素的计量比进行称量配料;并选取适宜的聚合物单体和引发剂;将上述原料混合后置于水浴锅中,不断搅拌至形成干凝胶;除去干凝胶中的有机物,形成前驱体粉末;之后制成陶瓷胚体,烧结冷却得到CSCTO介电陶瓷。该CSCTO陶瓷的介电常数在室温、1 kHz条件下为698,击穿场强为717 kV/cm,储能密度提升至15.88 J/cm3,储能效率达95%,在制备脉冲功率设备的储能器件方面具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 提高 钛酸铜锶钙介电 陶瓷材料 密度 方法
【主权项】:
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