[发明专利]沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管在审
| 申请号： | 202210778209.5 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115101598A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 李磊;许生根;杨晓鸾;孔凡标;李哲锋 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/40 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管。其包括N型衬底以及阴极电极；在所述N型衬底的正面制备沟槽型发射极，沟槽型发射极包括N型埋层、位于所述N型埋层上的P型层、位于所述P型层上的发射极金属层以及若干发射极沟槽，其中，对任一发射极沟槽，所述发射极沟槽贯穿P型层以及N型埋层，发射极沟槽的槽底位于N型埋层的下方，所述发射极沟槽的内壁覆盖沟槽绝缘氧化层，在覆盖有沟槽绝缘氧化层的发射极沟槽内填充有发射极导电多晶硅；所述发射极金属层与P型层以及发射极沟槽内的发射极导电多晶硅欧姆接触。本发明具有较快的反向恢复时间，动态损耗小，软度好，高温漏电小，可靠性高，温度系数小，提升反向阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 发射极 载流子 注入 控制 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
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