[发明专利]一种低氧化缺陷的InP核壳量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 202210777374.9 | 申请日： | 2022-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN115124993A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 吕雁冰;张彦斌;申怀彬;李林松;吴瑞丽 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/70;C09K11/56;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 杨海霞 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低氧化缺陷的InP核壳量子点及其制备方法，属于量子点发光材料领域。在本发明中，以安全、高效的氨基膦为磷源，以卤化锌代替羧酸锌作为锌源制备了一系列InP核壳量子点。本发明中以卤化锌为锌源的无酸体系避免了羧酸盐和羧酸的使用，从而在InP表面没有氧化层的生成，并且为InP后续的壳层生长创造一个低水氧的环境。相比在其他氨基膦路线中以羧酸锌为锌源的条件下，本发明方法所制备的InP核壳量子点具有氧化缺陷少、量子产率高、稳定性好的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 缺陷 inp 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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