[发明专利]一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置

摘要

本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置。本发明的非垂直间接电加热结构包括光波导、相变材料层、绝缘包覆层、加热器、硅通孔（TSV）。其中，相变材料层位于光波导上或嵌入光波导中；加热器及TSV位于绝缘包覆层中相变材料层的上方，不垂直于相变材料层，且垂直或平行于波导。本发明可用于集成光路中光子相变器件的热控制与切换。本发明结合加热器间接加热结构和加热器非垂直设计，避免了额外的损耗，降低了相变材料的受热不均匀，实现了与硅光集成标准工艺兼容。本发明为发展可靠、高效、低损耗、与硅光集成标准工艺兼容的光子相变器件及阵列提供了简便的调控策略。