[发明专利]一种铁电超晶格多值存储器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210765689.1 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115224191A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 段瑞斌;邱晨光 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学;北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 411105*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铁电超晶格多值存储器及其制作方法，包括一衬底，在衬底上具有源极、漏极以及由源极和漏极组成的栅窗口；在栅窗口中具有铁电超晶格结构，铁电超晶格结构由多层铁电层和沟道层组成，源极和漏极与铁电超晶格结构为端式接触；铁电超晶格结构上具有栅介质层，栅介质层上具有栅极。本发明通过采用二维铁电超晶格实现的多值存储器，实现了多值存储器，提高数据的运算效率，进而实现数据的高密度存储，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铁电超 晶格 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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