[发明专利]基于器件辐射缺陷演化全过程的跨尺度仿真方法及系统在审
| 申请号： | 202210762700.9 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115186463A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;张英涛;刘研;杨剑群;徐晓东 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/10;G06F111/08;G06F111/10 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 丁晴晴 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于器件辐射缺陷演化全过程的跨尺度仿真方法和系统，所述方法包括：定义粒子参数和材料参数，并将其输入模拟系统；根据分子动力学基本原理，建立基于空间入射粒子的分子动力学模型，进行基于分子动力学的空间入射粒子的运动数值模拟，并获取不同时刻空间入射粒子的运动轨迹、速度、能量和在空间器件中的分布信息；采用统计物理学方法统计不同状态下空间入射粒子的运动规律，将空间入射粒子的微观状态和材料的宏观性质相关联，进行跨尺度计算仿真。本发明以单个入射粒子和材料参数为研究对象，对入射粒子在空间器件中产生的跨尺度缺陷演化效应进行模拟仿真，为半导体器件的材料选取提供重要依据和思路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 器件 辐射 缺陷 演化 全过程 尺度 仿真 方法 系统 | ||
【主权项】：
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