[发明专利]一种基于轨迹数据预存的微放电敏感区域绘制方法及系统在审
| 申请号： | 202210753467.8 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN114970210A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 林舒;屈皓;李永东;王洪广;翟永贵;钟环 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/12;G06F17/18;G06F111/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于轨迹数据预存的微放电敏感区域绘制方法及系统，采用微放电稳态统计理论建模，通过优化后的数值建模避免电子轨迹的重复计算，并对电子轨迹数据预存。后读取预存数据，根据材料的SEY参数模型快速求解对应有效二次电子倍增率，大幅度减少了微放电敏感区域的耗时问题。与现有技术相比，为工程中对比不同材料的微放电敏感区域或评估材料SEY抑制工艺对微放电敏感区域的影响提供了极大便利。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 轨迹 数据 放电 敏感区域 绘制 方法 系统 | ||
【主权项】：
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