[发明专利]无箔二极管中抑制电子发射的阴极结构及高功率微波系统在审

专利信息
申请号: 202210741480.1 申请日: 2022-06-27
公开(公告)号: CN115148564A 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 杨以航;肖仁珍;陈坤;苗天泽;安晨翔;史彦超 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H01J23/04 分类号: H01J23/04;H01J23/10;H01J21/04
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 徐秦中
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种无箔二极管中抑制电子发射的阴极结构及高功率微波系统,以解决目前阴极底座在回流电子束轰击下,会发射电子轰击到阳极组件,导致阻抗崩溃的技术问题。该阴极结构包括阴极底座和阴极引杆;阴极底座的外侧面由母线绕中轴线周向旋转一圈形成;母线包括依次连接的第一圆弧段、第一直线段、第二直线段、第三直线段、第四直线段、第二圆弧段、第三圆弧段、第五直线段及第六直线段;第一直线段、第二直线段、第三直线段及第四直线段周向旋转形成的平面组成电子束收集环腔;第一圆弧段和第二圆弧段的半径分别为R1和R2,0.5R3≤R2≤0.7R3,R1=R02‑R01。该高功率微波系统包括抑制电子发射的阴极结构。
搜索关键词: 二极管 抑制 电子 发射 阴极 结构 功率 微波 系统
【主权项】:
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