[发明专利]一种毫米波集成电路中的空气桥制作方法在审
| 申请号： | 202210740605.9 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115132650A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 刘平堂;陈庆 | 申请（专利权）人： | 华兴通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G06F30/23;G06F119/14 |
| 代理公司： | 郑州博派知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41137 | 代理人： | 荣永辉 |
| 地址： | 450018 河南省自贸试验区郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种毫米波集成电路中的空气桥制作方法，属于半导体器件技术领域，具体包括：基于寄生电容控制要求确认空气桥两侧地面挖缺口的最小尺寸以及空气桥桥面挖方孔的最小尺寸；通过两种方式对空气桥的寄生电容进行改造得到空气桥模型；基于空气桥模型，对所述空气桥进行受力情况分析得到分析结果；确认空气桥是否稳定，若处于稳定状态，则进一步加大空气桥的两侧地面挖缺口的尺寸以及空气桥桥面挖方孔的尺寸，并继续进行受力情况分析，若处于非稳定状态，则采用第一尺寸阈值减小空气桥的两侧地面挖缺口的尺寸以及空气桥桥面挖方孔的尺寸，并将作为最终的空气桥制作方案，从而将综合考虑受力情况以及寄生电容，进一步提升了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 集成电路 中的 空气 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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