[发明专利]一种材料填充保护光刻掩模及其制备方法在审
申请号: | 202210701458.4 | 申请日: | 2022-06-20 |
公开(公告)号: | CN115079506A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;牟帅;谷雨;赵泽宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 肖慧 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了一种材料填充保护光刻掩模的制备方法,包括:S1,在掩模基底上沉积光刻掩模材料,制备掩模图形结构;S2,向掩模图形结构中填充透明介质材料;S3,对S2中所得掩模进行退火处理;S4,对S3中所得掩模的表面进行化学机械抛光,以显露出掩模图形结构,得到材料填充保护的光刻掩模。本公开通过在接触式光刻掩模图形加工过程中对掩模图形结构进行材料填充,增大掩模图形结构与感光材料之间的接触面积与强度,从而有效提升接触式光刻掩模版的使用寿命,同时降低了掩模加工成本,拓展了接触式光刻技术的应用范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 材料 填充 保护 光刻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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