[发明专利]具有明确限定的绝缘区域的高密度电容性器件在审
| 申请号： | 202210656238.4 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115472433A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 蒂埃里·克拉雷特;戴尔芬·费雷拉;拉斐尔·拉莫斯 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/30;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈鑫;姚开丽 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有明确限定的绝缘区域的高密度电容性器件。还涉及用于制造电容性器件的方法，包括以下步骤：i)提供衬底，衬底包括：‑由第一材料制成和/或具有第一纹理的第一区域(Z1)，‑由第二材料制成和/或具有第二纹理的第二区域(Z2)，‑由第三材料制成和/或具有第三纹理的第三区域(Z3)；ii)使纳米柱衬底上生长，藉此获得在局部具有不同密度的纳米柱层，第一区域(Z1)的密度低于第三区域(Z3)的密度；iii)沉积绝缘层(32)；iv)沉积导电层(33)，使得在第一区域(Z1)处形成电容性叠组，电容性叠组包括绝缘层(32)和导电层(33)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 明确 限定 绝缘 区域 高密度 电容 性器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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