[发明专利]基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关有效

专利信息
申请号: 202210652450.3 申请日: 2022-06-08
公开(公告)号: CN115020515B 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 王少强;李雨岭;甘蒙;何睿 申请(专利权)人: 内江师范学院
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;G02F1/015
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 徐瑶
地址: 641000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关,包括有屏蔽盒,屏蔽盒内部设置有多通道导电开关单元,屏蔽盒顶部的开口处设置有位相型触发光栅系统,位相型触发光栅系统位于多通道导电开关单元上方。该多通道砷化镓光电导开关,能够降低开关的暗态电流,抑制表面闪络的发生,提升开关的耐压能力。
搜索关键词: 基于 位相 光栅 分光 触发 带侧墙 通道 砷化镓光 电导 开关
【主权项】:
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