[发明专利]一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法在审
| 申请号： | 202210644790.1 | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN114836823A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 逯占文;王学卫;张靖;邢治国;文皓;陈一凡 | 申请（专利权）人： | 连城凯克斯科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06;G05B13/04 |
| 代理公司： | 无锡亿联盛知识产权代理有限公司 32625 | 代理人： | 李晶晶 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法，其基于PSO优化的KNN算法。本发明的优点：针对单晶硅生长过程中直径控制问题，利用了大量不同熔融炉的历史生长数据，并将不同生长阶段划分为不同数据集。为了消除不同数据类型数值差异过大对权重的影响，采用正态归一化方法进行数据增强。输入KNN回归模型优化加权权重。训练结束后，应用阶段可以将晶体生长数据输入回归模型，给出历史相似参数下的生长直径，并预测下一时刻晶体生长直径。利用PSO优化的带权重KNN回归计算模型，实现了晶体生长直径预测功能；对于优化晶体生长直径控制算法、减小直径波动和提高硅晶体质量具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 熔炉 晶体生长 直径 预测 方法 | ||
【主权项】：
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