[发明专利]用于GAN高电压晶体管的场板结构在审
| 申请号： | 202210639872.7 | 申请日： | 2022-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN115440800A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 朴毕圣;D·M·金策 | 申请（专利权）人： | 纳维达斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开用于氮化镓(GaN)高电压晶体管的场板结构。在一个方面中，一种晶体管包含GaN衬底、形成于所述GaN衬底上的源极区、形成于所述GaN衬底上且与所述源极区分离的漏极区、形成于所述源极区和所述漏极区之间的栅极区、形成于所述GaN衬底上且定位于所述栅极区和所述漏极区之间的基座，以及电联接到所述源极区的场板，其中所述场板从定位于所述源极区和所述基座之间的近侧区朝向所述漏极区延伸，其中所述场板的至少一部分与所述基座的至少一部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 电压 晶体管 板结 | ||
【主权项】：
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