[发明专利]多平面存储器装置中的并发页高速缓存资源存取在审
| 申请号： | 202210634873.2 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115437973A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | S·桑卡拉纳拉亚南;E·N·李 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G06F12/0882 | 分类号： | G06F12/0882;G11C11/406;G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案是针对多平面存储器装置中的并发页高速缓存资源存取。存储器装置包含第一存储器阵列、第二存储器阵列，及耦合到所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列的页高速缓存电路。所述页高速缓存电路包含至少一组并发资源及至少一个共享资源，其中所述至少一组并发资源可由所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列异步且并发地存取，且其中所述至少一个共享资源可由所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列以时分复用方式存取。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 存储器 装置 中的 并发 高速缓存 资源 存取 | ||
【主权项】：
暂无信息
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