[发明专利]RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置在审
| 申请号： | 202210629602.8 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115394916A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 仇圣棻;陈亮;杨芸 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 袁文婷;张娓娓 |
| 地址： | 311305 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置，包括下电极通孔、下极板层和钝化层；下电极通孔设置在绝缘层内，下电极通孔的底部设置在金属连线层上；在下电极通孔内设置有导电材料层；导电材料层的顶部呈圆弧形状；下极板层设置在导电材料层的顶部，下极板层的端部设置在绝缘层上，使下极板层呈圆弧形穹顶状；钝化层设置在下极板层的上部；且在钝化层的顶部设置有钝化层开口，下极板层的穹顶通过钝化层开口裸露在所述钝化层的外部。利用本发明能够解决器件后续擦除和写入存在不稳定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | rram 电极 结构 制造 方法 存储器 电子 装置 | ||
【主权项】：
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