[发明专利]高密度硅锂钽电池及其制作工艺方法有效
| 申请号： | 202210629073.1 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN114709491B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 高小建;李志锋 | 申请（专利权）人： | 深圳鑫鹏能技术科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M10/0585 | 分类号： | H01M10/0585;H01M10/052;H01M10/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及到电池的技术领域，公开了高密度硅锂钽电池及其制作工艺方法，其中的方法，包括步骤有，S1制备正极片，通过激光在钴酸锂基材表面喷涂钽氧化物，喷涂钽氧化物过程中控制均匀喷涂，所述的钴酸锂基材在制备之中使用钴酸锂与NCM三元材料制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压，最后再切割；S2制备负极片，使用石墨与ACET混合制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压，最后再切割；S3然后使用硅锗半导体做隔膜的材料；S4然后将正极片、负极片、隔膜与电解质叠层制作单体电池并在外表面覆膜。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 硅锂钽 电池 及其 制作 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳鑫鹏能技术科技有限公司，未经深圳鑫鹏能技术科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210629073.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
