[发明专利]垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管在审
| 申请号： | 202210626127.9 | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN114999919A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 田博博;冯光迪;朱秋香;褚君浩;段纯刚 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州九方专利代理事务所(特殊普通合伙) 32398 | 代理人： | 张文婷 |
| 地址： | 200000 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直铁电场效应晶体管的制备方法和由此方法制备的垂直铁电场效应晶体管，该方法通过将源漏电极用绝缘层隔开之后，刻蚀掉多余的绝缘层，然后再在源漏电极之间制备半导体，最后制备栅绝缘层和栅极。该制备方法将源漏电极用绝缘层隔开之后，将半导体沟道层形成于覆盖部分源漏电极以及绝缘层的侧壁处，避免了传统的垂直铁电场效应晶体管制备方法中将源/漏极直接沉积在半导体沟道成上，对半导体沟道层的损伤，由此方法制备的垂直铁电场效应晶体管，第一电极和第二电极用绝缘层间隔，半导体沟道层覆盖部分第一电极，部分第二电极以及绝缘层侧壁，栅绝缘层采用铁电材料，具有高开关比、较大的记忆窗口和良好的保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 电场 效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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