[发明专利]一种高度单分散的单晶型高镍三元正极材料的合成方法及其应用有效
申请号: | 202210620923.1 | 申请日: | 2022-06-02 |
公开(公告)号: | CN114937773B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 肖顺华;胡斌;彭嘉启;卫源源;张亮;黄金福;唐鸿雨;陈绍军 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | H01M4/505 | 分类号: | H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
代理公司: | 郑州浩翔专利代理事务所(特殊普通合伙) 41149 | 代理人: | 李伟 |
地址: | 541000 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种高度单分散的单晶型高镍三元正极材料的合成方法及应用,该方法包括以下步骤:先将新型高效复合添加剂与高镍三元前驱体按一定比例研磨混合均匀,置于管式炉中,采用梯度煅烧技术得到阴阳离子协同掺杂的单晶型高镍三元中间体;将中间体与锂源研磨混合均匀并置于管式炉中煅烧一段时间,最终创制出高度单分散的单晶型高镍三元正极材料。所采用的兼具阴阳离子协同掺杂功效的新型复合添加剂为单分散单晶型高镍三元材料的合成提供了优良的动力学成核环境。所采用的新型变温煅烧技术,成功避免了高温下引发更严重的阳离子混排和锂挥发问题,在较低煅烧温度和较短保温时间即可实现高品质高性能单晶型高镍三元正极材料的创制。 | ||
搜索关键词: | 一种 高度 分散 单晶型高镍 三元 正极 材料 合成 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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