[发明专利]一种层状交错结构的氮化钨/氮化钼复合材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202210619385.4 申请日: 2022-06-01
公开(公告)号: CN114937561A 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 徐学文;张明慧;吴小義 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: H01G11/30 分类号: H01G11/30;H01G11/24;H01G11/86
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明为一种层状交错结构的氮化钨/氮化钼复合材料及其制备方法和应用。该材料为WN与MoN的复合物,具有三维交错层状复合结构,由超薄WN纳米片与MoN纳米片相互穿插组成了立体结构;制备方法中,采用盐模板合成方法,通过控制反应物中模板盐和钨/钼酸盐的质量比、反应物中钼酸盐的用量、煅烧温度和煅烧时间等条件,制备出了具有层状交错结构的WN/MoN复合材料。本发明合成的WN/MoN复合材料用作超级电容器的电极材料时,具有优异的电化学储能性质。该复合材料的制备方法具有操作简单、复合相组分可控、制备条件温和与低成本等优点。
搜索关键词: 一种 层状 交错 结构 氮化 复合材料 及其 制备 方法 应用
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