[发明专利]一种高性能自驱动GaN纳米线紫外探测器的制作方法

摘要

一种高性能自驱动GaN纳米线紫外探测器的制作方法涉及半导体光电探测领域，包括：(1)对绝缘衬底进行抛光，清洗后进行等离子体高温氮化处理；(2)生长多晶GaN纳米线；(3)设计非对称叉指电极，其中非对称叉指电极两级面积差介于0.3‑5mm2，叉指电极之间的指间距为50‑300μm，指宽为50‑200μm，整体叉指电极模块的长为1‑9mm，宽为1.5‑13mm。(4)将掩模版放置在GaN样品上，进行冷溅射。本发明利用制备非对称电极导致耗尽层宽度不同从而形成内建电势差，电势差大于0.1eV,以此促进电子空穴对分离提高紫外响应速度，其光响应时间、恢复时间小于1ms；光响应度大于30mW/cm2，探测率大于1012Jones。