[发明专利]一种支持多模式切换的堆叠SRAM电路及其控制方法有效
| 申请号： | 202210604913.9 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114708891B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李晓敏;张潇宇;李晨阳 | 申请（专利权）人： | 南京低功耗芯片技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 王慧 |
| 地址： | 210032 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种支持多模式切换的堆叠SRAM电路及其控制方法，包含支持电压堆叠的双电源SRAM、低功耗模式切换控制电路和SRAM堆叠判决电路；支持电压堆叠的双电源SRAM实现内部存储单元堆叠，供电电压在多个堆叠阵列上等比例分配的效果；低功耗模式切换的控制电路用于引导SRAM进入和退出各状态，降低其漏电功耗；SRAM堆叠判决电路用于检测当前SRAM的PVT，对数据保持状态下SRAM的模式进行决断。本发明保证SRAM在堆叠状态下，上下串联的存储阵列能够等分供电电压；同时模式切换控制电路在外部时钟的引导下，配合堆叠判决电路对SRAM的低功耗模式进行配置，实现漏电的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支持 模式 切换 堆叠 sram 电路 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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