[发明专利]一种两性离子聚合物修饰的纳米片的制备方法及其应用在审
申请号: | 202210597817.6 | 申请日: | 2022-05-30 |
公开(公告)号: | CN114984309A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 谢婧;俞鹏;李建树;丁春梅 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | A61L27/16 | 分类号: | A61L27/16;A61L27/02;A61L27/50;C08L53/00;C08K7/00;C08K9/04 |
代理公司: | 四川省方圆智云知识产权代理事务所(普通合伙) 51368 | 代理人: | 王悦 |
地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明中公开了一种两性离子聚合物修饰的纳米片的制备方法。本发明同时公开了上述制备方法制备得到的两性离子聚合物修饰的纳米片MoS2@PDA@PSBMA及其在骨关节炎治疗中的应用。本发明利用超声法制备MoS |
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搜索关键词: | 一种 两性 离子 聚合物 修饰 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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