[发明专利]用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备在审
申请号: | 202210586916.4 | 申请日: | 2022-05-27 |
公开(公告)号: | CN115497797A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 赵晋荣;茅兴飞;王松;姚卫杰;杨纪鹏;陈星;韦刚;陈国动;王伟;李岩;戴庚霖;杨延铭 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备,该线圈结构中,每个线圈单元均包括M个线圈组,M为大于等于4的整数;M个线圈组的结构相同,且相互并联;M个线圈组中的各层所述平面线圈一一对应地同层设置,并且位于同一层的M个平面线圈沿平面线圈的圆周方向相互间隔,且均匀分布;线圈组包括相互平行的N层平面线圈,N为大于等于4的偶数;N层平面线圈沿垂直于平面线圈所在平面的方向间隔设置,且依次首尾串接;每相邻两层平面线圈在平面线圈所在平面上的正投影呈镜像对称。本发明的技术方案,既可以提高在线圈在其下方产生的耦合能量在径向、角向上的分布均匀性,又可以提高线圈的整体耐压能力,从而可以实现大功率馈入。 | ||
搜索关键词: | 用于 产生 等离子体 线圈 结构 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】:
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