[发明专利]一种受激辐射损耗敏化的荧光损耗原理及其超分辨成像方法与装置在审
| 申请号： | 202210558846.1 | 申请日： | 2022-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN115201165A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 詹求强;朱志旻;郭鑫;蒲锐;乔书倩;黄冰如 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 | 代理人： | 李晓林 |
| 地址： | 510630 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种受激辐射损耗敏化的荧光损耗原理及其超分辨成像方法与装置，其中，一方面荧光损耗方法是利用近红外连续型激光引起稀土掺杂荧光纳米颗粒中敏化离子的受激辐射过程，从激发源头阻断了该敏化离子与一种或多种活化离子间的能量传递过程，猝灭所有活化离子所有能级的发光，从而实现单束损耗激光对不同活化离子不同能级的荧光进行同时损耗。另一方面基于损耗方法实现了全光谱多色超分辨成像的方法及装置，从而基于同一对近红外波长激发光/损耗光对多种发光离子或分子进行全光谱多色超分辨显微成像，具有无光漂白、低光毒性、大深度、高分辨、低复杂度、低成本等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 损耗 荧光 原理 及其 分辨 成像 方法 装置 | ||
【主权项】：
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