[发明专利]一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202210547499.2 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114927576A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 黄义;周科宏;王东升;杨稳;王琦;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/267;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 方钟苑 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该二极管为垂直结构，包括阳极金属接触区、P型NiO材料层、N‑漂移区、N+衬底、阴极金属接触区和绝缘层。本发明基于垂直结构Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 漏电 耐高温 氧化 镓异质结 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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