[发明专利]一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置有效
| 申请号： | 202210542555.3 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN114635180B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 高佑君 | 申请（专利权）人： | 山西中科晶电信息材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 相黎超 |
| 地址： | 043600 山西省运城*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置，制备方法包括：S1:将晶体原料放入PBN坩埚并转移至石英坩埚内；将石墨放入石英帽，然后与石英坩埚密封连接；S2:密封连接后装载至VGF单晶炉，且石英帽与石英坩埚位于不同温区；S3:使石英坩埚所在温区升温至化料温度，同时控制石英帽所在温区升温至1000±50℃；S4:石英坩埚所在温区于化料温度下保温化料，控制石英帽所在温区升温至1200±50℃并保温4～50h；S5:控制石英帽所在温区降温至1000℃±50℃并保温，进行气氛掺杂，晶体生长；S6:降温出料。本申请的方法可有效改善砷化镓晶体内部掺碳量及电性能的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 砷化镓 单晶体 及其 制备 方法 生长 装置 | ||
【主权项】：
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