[发明专利]沟槽型SiC JFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202210525584.9 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114613861B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈显平;钱靖 | 申请（专利权）人： | 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 周倩 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种沟槽型SiC JFET器件及其制备方法，其中器件包括：漏极金属层；N+型衬底层，形成在漏极金属上，形成器件的背面漏极欧姆接触；N型缓冲层，形成在N+型衬底层上；N‑型漂移区，形成在N型缓冲层上，并且其远离N型缓冲层的一侧具有两个对称的离子注入区；P型掺杂区，形成在N‑型漂移区的两个离子注入区的侧壁上；P+欧姆接触区，形成在P型掺杂区上；栅极金属层，形成在P+欧姆接触区上；N+欧姆接触区，位于P+欧姆接触区之上，连接P型掺杂区和N‑型漂移区；源极金属层，形成在所述N+欧姆接触区上；所述N‑型漂移区上的两个所述离子注入区之间通过两个离子注入区中形成的P型掺杂区和P+欧姆接触区形成垂直沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 sic jfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司，未经深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210525584.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种甜菜糖稀汁软化方法
- 下一篇：一种甜菜糖脱钙系统
- 同类专利
- 专利分类
