[发明专利]一种氧化物TFT薄膜电路的制造方法在审
| 申请号： | 202210525297.8 | 申请日： | 2022-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN115000019A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陈梓林 | 申请（专利权）人： | 陈梓林 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氧化物TFT薄膜电路的制造方法，薄膜电路包括TFT部和透明电极，TFT部包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极以及有源部，漏极与透明电极连接，其先在基板上设置由栅极、栅绝缘层、源极、漏极以及透明电极构成的第一叠层，第一叠层的外侧面预留有用于设置有源部的设置位；然后，在设置位上设置有源部，有源部由氧化物半导体薄膜图形化而成。这种制造方法所制作的TFT薄膜电路，其TFT能够保持较稳定的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 tft 薄膜 电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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