[发明专利]一种低损耗一体电感及其制备方法在审
| 申请号： | 202210524223.2 | 申请日： | 2022-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114864255A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王庆文 | 申请（专利权）人： | 深圳市旭盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/00 | 分类号： | H01F41/00;H01F41/02;H01F27/255;H01F27/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子元器件技术领域，目的是提供一种低损耗一体电感及其制备方法，本发明选择了以Fe、S i、N i、B、P、C作为磁体材料和封装材料，分别与正硅酸乙脂、辛基酚聚氧乙烯醚、正己烷、环乙烷、去离子水、FeN i合金、环氧树脂、等成分混合形成造粒粉末，进一步经硅烷偶联剂改性，并经一体成型，降低了磁芯和封装粉末间的间隙；本发明得到低功耗一体电感的在1MHz以上电感保持较高的Q值，从而满足目前开关电源对高频化、大电流、低损耗的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 一体 电感 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市旭盛电子有限公司，未经深圳市旭盛电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210524223.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：真随机数与物理不可克隆函数生成系统
- 下一篇：一种低虚焊率电感及其制备方法
