[发明专利]用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片及其制造方法在审
| 申请号: | 202210512124.2 | 申请日: | 2022-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN114975649A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
| 发明(设计)人: | 李欣;陈美鹏;王徐;竺欣晨;宋少寒;陶玥;王永进 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
| 主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/12;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈栋智 |
| 地址: | 210003 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明提出了半导体领域内的一种用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片,以硅衬底氮化物晶圆为载体,包括硅衬底层和氮化物外沿层,所述氮化物外延层的顶层设有发射器和接收器,所述发射器和接收器交替排列并且以阵列形式分布,所述发射器为带有亚波长超构表面的微型光源,所述接收器为带有亚波长超构表面的光电探测器,所述氮化物外延层带有连接发射器的正电极和负电极,所述氮化物外延层带有连接接受器的正电极和负电极,所述硅衬底层与电路板进行引线连接并结合构成芯片整体,本发明体积小,具有高度的集成性,检测精度高,可应用于无接触式光学传感器,提升周围复杂环境感知的准确度并促进无人驾驶、移动机器人等场景的发展。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 环境 感知 衬底 氮化 光子 集成 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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