[发明专利]一种带隔离沟槽的PMUT的设计及制备方法有效
| 申请号： | 202210491573.3 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN114890372B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王竹卿;甘伟;刘童 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H10N30/20;H10N30/05 |
| 代理公司： | 武汉菲翔知识产权代理有限公司 42284 | 代理人： | 李慧奇 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带隔离沟槽的PMUT的制备方法，涉及PMUT技术领域，具体为一种带隔离沟槽的PMUT的制备方法，包括隔离沟槽以及由下到上依次层叠的衬底、种子层、底部电极层、压电层、顶部电极层、绝缘层、引线层，所述衬底从底部中心向上设有圆孔式空腔，所述衬底包括底硅、埋氧层、结构硅层，所述衬底为SOI衬底，所述衬底由底部向上依次为底硅、埋氧层、结构硅层组成。该带隔离沟槽的PMUT的制备方法，在带隔离沟槽的PMUT上通过设计隔离沟槽，将阵列中的单元相互隔离。通过合理布置连接桥解决了单元间的电气连接问题；同时使单元间相对独立，减小了单元间的串扰问题，提升了阵列器件整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 沟槽 pmut 设计 制备 方法 | ||
【主权项】：
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