[发明专利]一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法在审

专利信息
申请号: 202210484943.0 申请日: 2022-05-06
公开(公告)号: CN114878921A 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 张有鑫;薛玉雄;单光宝;刘洋;王新淦;曹荣幸;郑澍;李红霞;韩丹;曾祥华 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: G01R27/28 分类号: G01R27/28;G01R27/26
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈建和
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法,首先制造三维互连TSV转接板,利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数;其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数,提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数;接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系;最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术,本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系,能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
搜索关键词: 一种 剂量 效应 tsv 结构 材料 性能 变化 分析 方法
【主权项】:
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