[发明专利]一种Al/Ga/In+在审

专利信息
申请号: 202210482586.4 申请日: 2022-05-05
公开(公告)号: CN114773053A 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 徐东;蒋志;李永涛;刘娟;程亚芳;左如忠;钟素娟;郝庆乐 申请(专利权)人: 安徽工业大学;安徽工程大学;中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
主分类号: C04B35/46 分类号: C04B35/46;C04B35/622
代理公司: 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 代理人: 王林
地址: 243032 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及介电陶瓷制备技术领域,具体涉及一种Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法,闪烧法制备了Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷。在快速烧结时,试样置于管式炉中,试样两端连接直流电源提供电场,以10℃/min的加热速率加热,当样品温度达到1200℃时,保持5min后施加550V/cm的电场,初始预设电流为1.0A,当施加电场时,电流每3min增加0.1A直到达到限制电流1.5A,然后关闭直流电源,将样品冷却至室温得到这种Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷。这种制备方法不仅对进一步研究共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料具有重要意义,而且为其他先进功能陶瓷的制备提供了参考。
搜索关键词: 一种 al ga in base sup
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