[发明专利]用于纳米压印工艺的光刻胶及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202210482013.1 申请日: 2022-05-05
公开(公告)号: CN114690563A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 孙逊运;张盼;温赞伟;李巧玲 申请(专利权)人: 潍坊星泰克微电子材料有限公司
主分类号: G03F7/075 分类号: G03F7/075;G03F7/00
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 王焕
地址: 261000 山东省潍坊市高新技术开*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及纳米压印技术领域,尤其是涉及一种用于纳米压印工艺的光刻胶及其制备方法和应用。用于纳米压印技术的光刻胶,包括按质量百分比计的胶体基体85%~99.9%和含硅丙烯酸酯类偶联剂0.1%~15%。本发明通过在胶体基体中引入含硅的丙烯酸酯类偶联剂,其中的Si‑OCH3不稳定,易水解成Si‑OH基团,能够与硅基材中的羟基形成氢键,增加光刻胶与基底之间的粘附性;并且,光刻胶形成胶膜后,其中的硅羟基及硅甲氧基均能改善光刻胶的抗干法刻蚀性能;再者,通过硅烷偶联剂中低表面能的硅氧基团的加入,旋涂制膜时胶膜上部所含的硅氧基团易于向空气表面富集,有利于降低光刻胶表面能,使得压印之后更易于脱模。
搜索关键词: 用于 纳米 压印 工艺 光刻 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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