[发明专利]一种基于富硫空位ZnIn2

摘要

一种基于{0001}晶面纳米片组装的富硫空位ZnIn2S4纳米花敏感材料的三乙胺气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。由从下至上的Al2O3衬底、Pd金属叉指电极和涂覆在Pd金属叉指电极上的基于{0001}晶面纳米片组装的富硫空位ZnIn2S4纳米敏感材料层组成。本发明通过改变合成条件来合成了ZnIn2S4纳米花敏感材料，通过S缺陷工程控制生长出的ZnIn2S4纳米花是由暴露高能{0001}面的纳米片自组装而成的，表面具有大量的可作为传感反应活性位点的S空位，因此对三乙胺气体具有良好的检测性能。同时本发明采用的工艺简单、制得的器件体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。