[发明专利]一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202210465624.5 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114804924B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 向钢;代旭;张析 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 刘业芳 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法，涉及磁性半导体陶瓷材料技术领域。本发明首先通过制备Ga前驱溶液和Mn前驱溶液，然后将Ga和Mn前驱溶液按一定的比例充分混合形成GaMn前驱溶液，将GaMn前驱溶液旋涂到清洗后的单晶氧化铝基底上，然后在大于等于650℃的热处理条件和氧化性气氛中制备得到GaMnO磁性陶瓷薄膜。本发明的制备方法对环境要求低，不需要真空环境和密闭性，在空气中就能反应，因此极大的降低了成本，且方法简单易行，具有广阔的应用前景。本发明所制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜具有较好的结晶性和结晶取向，具有较好的表面平整度以及高于400K的居里温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 磁性 陶瓷 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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