[发明专利]基于SiON波导的离子交换可调制光分路器及其制备工艺在审
| 申请号： | 202210454274.2 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN114942534A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 林宏焘;雷坤皓;孙春雷;李兰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 浙江传衡律师事务所 33387 | 代理人： | 叶卫强 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成光学分路器领域，公开了基于SiON波导的离子交换可调制光分路器及其制备工艺，包括包括第一金属电极、离子交换区域、SiO2上包层、SiON波导、第二金属电极、SiO2下包层和硅基底。第一金属电极位于离子交换区域的上表面，离子交换区域位于SiON波导的上表面，且离子交换区域置于SiO2上包层之内，SiON波导位于硅基底的上方，SiON波导的上表面与SiO2上包层的下表面相接触，SiON波导的下表面与SiO2下包层的上表面相接触，SiO2下包层位于第二金属电极的上表面，第二金属电极贴合于硅基底的上表面，通过两块金属电极形成的电容电场对离子交换区域的掺杂离子向SiON波导扩散进行控制，以实现对波导传播模式以及分路器分光比的调制目的。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sion 波导 离子交换 调制 分路 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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