[发明专利]一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202210447123.4 | 申请日： | 2022-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN114823872B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 章文通;张科;唐宁;田丰润;乔明;何乃龙;张森;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L23/34;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二导电类型掺杂岛，纵向介质氧化层和纵向多晶硅电极构成纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，纵向多晶硅电极穿通埋氧层深入第二导电类型掺杂岛内，还包括介质氧化层形成场氧化层和栅氧化层，介质氧化层形成埋氧层，第二导电类型多晶硅栅电极，纵向场板金属，源端金属，漏端金属。本发明在关态时，通过纵向电极深入第二导电类型掺杂岛，将横向高压引入衬底反向PN结，使衬底参与耐压，提高器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 衬底 耐压 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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