[发明专利]一种基于谐振环阵列的衰减器在审

专利信息
申请号: 202210420855.4 申请日: 2022-04-21
公开(公告)号: CN114976661A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 卫子瑶;曾中明;王战亮;潘攀;宫玉彬 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;H01Q17/00;H05K9/00
代理公司: 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 代理人: 温利平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于谐振环阵列的衰减器。通常谐振环制作在介质表面,电磁波从正上方入射时谐振环具有较强的吸收能力,当电磁波斜入射时吸收能力下降。而本发明基于谐振环阵列的衰减器由多个锥形四面体按照阵列方式排布,并置于金属平面或介质平面上而形成,同时谐振环制作在锥形四面体的四个侧表面,这样现有技术的基于表面谐振环阵列的衰减器表面变为基于锥形四面体阵列的衰减器表面,当电磁波斜入射时,对于谐振环是正入射,具有最大吸收能力,而且无论从哪个方向斜入射都可以获得最大吸收,因此本发明提出衰减器具有较为宽广的方向性。
搜索关键词: 一种 基于 谐振 阵列 衰减器
【主权项】:
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