[发明专利]西维因光响应分子印迹传感器及其制备方法在审
申请号: | 202210420790.3 | 申请日: | 2022-04-21 |
公开(公告)号: | CN114965624A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 谭倪;丁醉;谭雅欣;杨银成;柳立杰 | 申请(专利权)人: | 南华大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 衡阳市科航专利事务所(普通合伙) 43101 | 代理人: | 刘政旺 |
地址: | 421001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 西维因光响应分子印迹传感器及其制备方法,涉及分子印迹电化学传感器领域。西维因光响应分子印迹传感器,包括裸玻碳电极和附着在裸玻碳电极表面上对光具有响应性的聚合膜;聚合膜上带有与西维因分子的形状和大小一致的孔穴;当聚合膜上越来越多的孔穴被西维因分子填充时,裸玻碳电极的导电性能逐渐下降。本发明提供的西维因光响应分子印迹传感器对西维因具有专一识别性和高亲和性,可用于环境中微量/痕量西维因的提取、分离与检测。该传感器制备简易,经济易得,对西维因检测灵敏,检出限为0.875 nM。其针对西维因具有吸附及洗脱性良好的双重特点,因而具有较强的实用性。 | ||
搜索关键词: | 响应 分子 印迹 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南华大学,未经南华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210420790.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于离散对数的多重变色龙哈希方法及系统
- 下一篇:光检测装置