[发明专利]西维因光响应分子印迹传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210420790.3 申请日: 2022-04-21
公开(公告)号: CN114965624A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 谭倪;丁醉;谭雅欣;杨银成;柳立杰 申请(专利权)人: 南华大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30
代理公司: 衡阳市科航专利事务所(普通合伙) 43101 代理人: 刘政旺
地址: 421001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 西维因光响应分子印迹传感器及其制备方法,涉及分子印迹电化学传感器领域。西维因光响应分子印迹传感器,包括裸玻碳电极和附着在裸玻碳电极表面上对光具有响应性的聚合膜;聚合膜上带有与西维因分子的形状和大小一致的孔穴;当聚合膜上越来越多的孔穴被西维因分子填充时,裸玻碳电极的导电性能逐渐下降。本发明提供的西维因光响应分子印迹传感器对西维因具有专一识别性和高亲和性,可用于环境中微量/痕量西维因的提取、分离与检测。该传感器制备简易,经济易得,对西维因检测灵敏,检出限为0.875 nM。其针对西维因具有吸附及洗脱性良好的双重特点,因而具有较强的实用性。
搜索关键词: 响应 分子 印迹 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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