[发明专利]一种预稳压的零电流损耗单管栅控电路有效
| 申请号： | 202210417802.7 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114815954B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 柴常春;陈柯旭;宋博奇;李福星;秦英朔;孟祥瑞 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 辛菲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种预稳压的零电流损耗单管栅控电路，包括：后端电路和与所述后端电路电连接的一个MOSFET器件；所述MOSFET器件的阈值电压为零限值；采用所述MOSFET器件的栅电压控制进行预稳压为所述后端电路提供预稳压电位。本发明仅仅使用一个阈值电压为零限值的MOSFET器件或者耗尽型的MOSFET器件就可以实现预稳压，分别使用正栅电压控制与背栅电压控制实现预稳压，预稳压部分不引入额外的电流支路，其上所消耗电流为系统本身固有电流损耗，没有额外的电流损耗，且大幅度提升基准电压的PSRR特性，实现良好的预稳压效果；单个器件实现电路最小化，最小化芯片面积；不涉及稳定性问题，设计更加简单，应用范围较广，可以应用在高压预稳压集成电路设计等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳压 电流 损耗 单管栅控 电路 | ||
【主权项】：
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