[发明专利]一种基于金属纳米线阵列表面等离激元激光发射器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210409983.9 申请日: 2022-04-19
公开(公告)号: CN115021067A 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 曹鸿涛;王鑫鹏;高俊华;陈芝琳;姜雨欣 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01S3/16 分类号: H01S3/16;B82Y30/00;C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 曹兆霞
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于金属纳米线阵列表面等离激元激光发射器,包括金属纳米线阵列‑增益介质复合层;所述金属纳米线阵列‑增益介质复合层中,金属纳米线阵列垂直分布在增益介质复合层中,金属纳米线的直径不小于2nm,高度与所述金属纳米线阵列‑增益介质复合层的厚度相同,相邻金属纳米线的间距为1~15nm,金属纳米线占所述金属纳米线阵列‑增益介质复合层的体积百分数为20%~60%。该公开了一种激光发射器的制备方法,该制备方法操作简单,便于实际制备和应用,制备得到的激光发射器的激发功率密度阈值只有20W/cm2
搜索关键词: 一种 基于 金属 纳米 阵列 表面 离激元 激光 发射器 及其 制备 方法
【主权项】:
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