[发明专利]一种抗单粒子效应辐射加固带隙基准电路有效
| 申请号： | 202210394652.2 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114756079B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 邱旻韡;屈柯柯 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种抗单粒子效应辐射加固带隙基准电路，包括启动电路，为带隙基准电路提供偏置电流；运算放大器，所述的MP3、MP4通过电流镜镜像MP1的电流给运算放大器提供偏置，MP5也通过电流镜镜像给后续基准电压产生部分提供偏置，且运算放大器输入端对MP6、MP7的栅极电位分别连接R3和BP3发射极；所述的R4、R5、R3、BP1～BP3、D9、以及R6、C3构成带隙基准电压产生电路。本发明所述的带隙基准电路，通过较小的面积和功耗开销，实现良好的抗辐射能力，并降低电路最低工作电压，提高电路适用范围，利用在重要节点增加二极管和电容的技术来改善抗SET性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 效应 辐射 加固 基准 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所，未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210394652.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
