[发明专利]一种氧化石墨烯表面改性的MEMS气体传感器芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202210380844.8 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114751368A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 蒯贇;赵羽;沈光宇 | 申请（专利权）人： | 安徽维纳物联科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 叶濛濛 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市蜀山经济开发*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及微纳传感器技术领域，具体来说是一种氧化石墨烯表面改性的MEMS气体传感器芯片的制备方法，包括S1、制备MEMS基片微加热层；S2、制备MEMS基片叉指电极及印刷敏感材料；S3、制备聚苯乙烯胶体单层膜；S4、制备氧化石墨烯表面改性MEMS气体传感器。本申请首先进行MEMS基片微加热层、叉指电极制备及敏感材料印刷的制备；然后进行聚苯乙烯胶体单层膜模板制备；最后通过模板浸渍‑无损转移，将氧化石墨烯从前驱液中转移附着到MEMS气体传感器敏感材料上，形成一层超薄致密覆盖的氧化石墨烯薄膜，以此制备出高敏感、抗干扰的MEMS气体传感器，工艺可靠、易于实现，具有大规模批量生产的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 石墨 表面 改性 mems 气体 传感器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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