[发明专利]抗辐照加固硅PNP双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210377528.5 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114792726A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 安兆嵬;吕贺;张礼;王传超;韩曾辉 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 李修杰 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗辐照加固硅PNP双极型晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底本体(1)和外延层(2)，在敷设有掩蔽层(3)，并在掩蔽层(3)中部下方的外延层(2)上设置有基区(4)，在基区(4)中心位置设置有发射区(5)，在发射区(5)中心处设置有穿过掩蔽层(3)的发射区电极(9)；在外延层(2)的上方靠近边缘处设置有保护环(6)；在发射区(5)外侧的基区(4)边缘处设置有高磷区(7)，在高磷区(7)上方设置有穿过掩蔽层(3)的基区电极(8)；在除基区电极(8)和发射区电极(9)之外的外延层(2)上方设置有保护层(10)。本发明提高了双极型晶体管的抗辐照能力。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 加固 pnp 双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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