[发明专利]一种TaNbHfZrTi系难熔高熵合金及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210375785.5 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114855049B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 吴渊;温晓灿;吕昭平;蒋虽合;王辉;刘雄军 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;H01B12/00;F17C3/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 岳野 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明属于金属材料及其制备领域，涉及一种TaNbHfZrTi系难熔高熵合金及其制备方法和应用。该高熵合金的表达式为：高熵合金成分的原子百分比表达式为：Ta |
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| 搜索关键词： | 一种 tanbhfzrti 系难熔高熵 合金 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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