[发明专利]一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法在审
| 申请号： | 202210369018.3 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN114813825A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 罗昕;黄书藤;郭醒;徐龙权;王光绪;蔡丰任;叶继发;张建华;付江;李宁 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20;G06F17/15 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法，步骤包括：制备热阻待提取区域采用不同材料或工艺的半导体器件样品1和样品2；测试样品1、样品2的热阻分别得到积分结构函数，并获得各自结壳热阻坐标(x |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 封装 结构 区域 提取 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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