[发明专利]一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法在审
| 申请号： | 202210359227.X | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116929868A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 田仲政;任中阳;于达程;田姣姣;任黎明;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公布了一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在衬底上制备硒化铋薄膜，使用电学设备，使硒化铋在高电流作用下发生初始断裂，产生横向裂纹，在横向裂纹中确定物质桥位置；继续升高施加在硒化铋薄膜沟道两侧的电压，对硒化铋沟道扫描范围从0V开始，最大电压10～100V，使物质桥发生熔断，分形裂纹从物质桥处开始延展，通过施加更高电压的I‑V扫描，控制硒化铋薄膜分形裂纹。本发明使用纯电学方法来控制硒化铋薄膜分形断裂，速度快，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 硒化铋 薄膜 断裂 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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